[发明专利]光掩模坯料在审

专利信息
申请号: 201810188726.0 申请日: 2018-03-08
公开(公告)号: CN108572509A 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 深谷创一;稻月判臣 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F1/26 分类号: G03F1/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李跃龙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及光掩模坯料,该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成,该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成,该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时,第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。
搜索关键词: 法刻 光掩模坯料 含铬材料 含硅材料 刻蚀 时间比 衬底 透明
【主权项】:
1.光掩模坯料,其包含:透明衬底,在该衬底上任选地经由第一膜形成的第二膜,与第二膜邻接形成的用作硬掩模膜的第三膜,和与第三膜邻接形成的第四膜,其中第一膜和第三膜由耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去的材料形成,第二膜和第四膜由耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去的材料形成,第二膜和第四膜被构造成使得在一组条件下氯基干法刻蚀时第四膜的刻蚀完成时间比在所述一组条件下氯基干法刻蚀时第二膜的刻蚀完成时间长。
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