[发明专利]光掩模坯料在审
| 申请号: | 201810188726.0 | 申请日: | 2018-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN108572509A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
| 发明(设计)人: | 深谷创一;稻月判臣 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明涉及光掩模坯料,该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成,该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成,该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时,第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。 | ||
| 搜索关键词: | 法刻 光掩模坯料 含铬材料 含硅材料 刻蚀 时间比 衬底 透明 | ||
【主权项】:
1.光掩模坯料,其包含:透明衬底,在该衬底上任选地经由第一膜形成的第二膜,与第二膜邻接形成的用作硬掩模膜的第三膜,和与第三膜邻接形成的第四膜,其中第一膜和第三膜由耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去的材料形成,第二膜和第四膜由耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去的材料形成,第二膜和第四膜被构造成使得在一组条件下氯基干法刻蚀时第四膜的刻蚀完成时间比在所述一组条件下氯基干法刻蚀时第二膜的刻蚀完成时间长。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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