[发明专利]表面等离激元-半导体异质结谐振光电器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810188107.1 申请日: 2018-03-07
公开(公告)号: CN108511555A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 张彤;王善江;张晓阳 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210033 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提出了一种表面等离激元‑半导体异质结谐振光电器件及其制备方法,其中,表面配体分子(2)修饰在表面等离激元纳米结构(1)上,表面等离激元晶面结构(3)绑定在表面配体分子(1)上,半导体纳米结构晶种(4)位于表面等离激元晶面结构(3)上,一维半导体纳米结构(5)位于半导体纳米结构晶种(4)上,且各部分形成紧密的接触。该类异质集成材料在界面处实现了晶格的匹配,大大降低了缺陷、晶面粗糙等带来的损耗,可实现表面等离激元模式与光模式的直接耦合,在纳米激光器、纳米热源、光电探测及光催化领域中具有极大地应用前景。
搜索关键词: 表面等离激元 半导体纳米结构 半导体异质结 谐振 表面配体 光电器件 晶面结构 纳米结构 晶种 制备 纳米激光器 一维半导体 光电探测 集成材料 直接耦合 光催化 光模式 界面处 热源 绑定 晶格 晶面 修饰 异质 匹配 粗糙 应用
【主权项】:
1.一种表面等离激元‑半导体异质结谐振光电器件,其特征在于该光电器件包括:表面等离激元纳米结构(1),表面配体分子(2),表面等离激元晶面结构(3),半导体纳米结构晶种(4)和一维半导体纳米结构(5);其中,表面配体分子(2)修饰在表面等离激元纳米结构(1)上,表面等离激元晶面结构(3)绑定在表面配体分子(1)上,半导体纳米结构晶种(4)位于表面等离激元晶面结构(3)上,一维半导体纳米结构(5)位于半导体纳米结构晶种(4)上,且各部分形成紧密的接触。
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