[发明专利]一种高灵敏红外异质结光电传感器及其制备方法在审
申请号: | 201810184358.2 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108493288A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 张希;林泽洲;曹志鹏;刁东风 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种高灵敏红外异质结光电传感器及其制备方法,其中,所述光电传感器包括设置在衬底上的带隙半导体薄膜以及交叉堆叠在所述带隙半导体薄膜上表面的导流薄膜,所述带隙半导体薄膜和导流薄膜之间的交叉重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结,所述带隙半导体薄膜的两端以及导流薄膜的两端均通过金属电极固定在所述衬底上。本发明的光电传感器结构简单、容易制备、光电响应速度快、光电输出能力高、光电响应范围涵盖红外光区域,可广泛用于弱光检测、红外探测等。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 带隙半导体 光电传感器 异质结 导流 制备 光电响应 衬底 灵敏 红外光区域 红外探测 交叉重叠 金属电极 输出能力 上表面 堆叠 弱光 涵盖 检测 | ||
【主权项】:
1.一种高灵敏红外异质结光电传感器,其特征在于,包括设置在衬底上的带隙半导体薄膜以及交叉堆叠在所述带隙半导体薄膜上表面的导流薄膜,所述带隙半导体薄膜和导流薄膜之间的交叉重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结,所述带隙半导体薄膜的两端以及导流薄膜的两端均通过金属电极固定在所述衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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