[发明专利]金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810183512.4 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108374151B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;李洁;郝玲;高步宇;吴胜利;李永东 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法，包括基底以及在基底上由上至下依次设置的氧化锌掺杂氧化镁膜层和金属掺杂氧化镁膜层，金属掺杂氧化镁膜层中单纯掺杂金属材料或者共掺杂金属材料与氧化锌，单纯掺杂金属材料的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为6％‑30％，共掺杂金属材料与氧化锌的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为5％‑25％，锌的原子数百分含量不高于5％；氧化锌掺杂氧化镁膜层中所形成的Mg‑Zn‑O复合物晶粒的尺寸为8nm‑30nm，锌的原子数百分含量为0.2％‑8％，采用溅射法进行制备，能有效提高二次电子发射系数，增强电子发射的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镁膜层 氧化锌掺杂 金属材料 金属掺杂 原子数 金属 制备 二次电子发射 共掺杂 氧化镁 氧化锌 基底 薄膜 掺杂 二次电子发射系数 电子发射 依次设置 晶粒 复合物 溅射法 | ||
【主权项】：
1.一种金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜，其特征在于：包括基底(1)以及在基底(1)上由上至下依次设置的氧化锌掺杂氧化镁膜层(3)和金属掺杂氧化镁膜层(2)；/n所述的金属掺杂氧化镁膜层(2)中共掺杂金属材料与氧化锌，其中，共掺杂金属材料与氧化锌的金属掺杂氧化镁膜层(2)中金属的原子数百分含量为5％-25％，锌的原子数百分含量不高于5％；所述的氧化锌掺杂氧化镁膜层(3)中所形成的Mg-Zn-O复合物晶粒的尺寸为8nm-30nm，锌的原子数百分含量为0.2％-8％；金属掺杂氧化镁膜层(2)的厚度为40nm-300nm，氧化锌掺杂氧化镁膜层(3)的厚度为10nm-40nm；所述的基底(1)与金属掺杂氧化镁膜层(2)之间设有金或银制成的金属缓冲层(4)；所述金属缓冲层(4)的厚度为5nm-30nm。/n
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