[发明专利]一种高效率硅基光伏电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种高效率硅基光伏电池的制造方法，其包括：在N型单晶硅片的上表面形成绒面层；在所述N型单晶硅片的上表面形成P型硅层；在所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，并对所述氮化硅钝化层进行刻蚀处理以在预备形成上电极的区域形成开口，以暴露所述P型硅层；在所述N型单晶硅片的上表面旋涂含有含有硫化钴纳米粉末的溶液，并进行第一次退火处理，接着旋涂含有乙醇锆的溶液，并进行第二次退火处理；在所述N型单晶硅片的下表面旋涂含有二异丙氧基双乙酰丙酮钛的溶液，并进行退火处理，接着旋涂含有黑磷烯的溶液，并进行干燥处理；在所述N型单晶硅片的上表面形成上电极，并在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极。

主权项

1.一种硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)在N型单晶硅片的上表面形成绒面层；/n(2)在所述N型单晶硅片的上表面形成P型硅层；/n(3)在所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，并对所述氮化硅钝化层进行刻蚀处理以在预备形成上电极的区域形成开口，以暴露所述P型硅层；/n(4)在所述N型单晶硅片的上表面旋涂含有含有硫化钴纳米粉末的溶液，并进行第一次退火处理，接着旋涂含有乙醇锆的溶液，并进行第二次退火处理，以在所述氮化硅钝化层的表面和侧面以及暴露的所述P型硅层的表面形成硫化钴/氧化锆复合层；/n(5)在所述N型单晶硅片的下表面旋涂含有二异丙氧基双乙酰丙酮钛的溶液，并进行退火处理，接着旋涂含有黑磷烯的溶液，并进行干燥处理，以形成二氧化钛/黑磷烯复合层；/n(6)在所述N型单晶硅片的上表面形成上电极，并在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极；/n其中，在所述步骤(4)中，含有硫化钴纳米粉末的溶液中的硫化钴纳米粉末的浓度为0.1-0.5mg/ml，旋涂含有含有硫化钴纳米粉末的溶液的速度为2000-4000转/分钟以及时间为1-3分钟，第一次退火处理的温度为100-130℃以及时间为20-30分钟，含有乙醇锆的溶液中的乙醇锆的浓度为1-3mg/ml，旋涂含有乙醇锆的溶液的速度为2000-4000转/分钟以及时间为1-5分钟，第二次退火处理的温度为300-500℃以及时间为20-50分钟；/n其中，在所述步骤(5)中，含有二异丙氧基双乙酰丙酮钛的溶液中的二异丙氧基双乙酰丙酮钛的浓度为2-5mg/ml，旋涂含有二异丙氧基双乙酰丙酮钛的溶液的速度为3000-4000转/分钟以及时间为1-5分钟，退火处理的温度为300-500℃以及时间为15-30分钟，含有黑磷烯的溶液中的黑磷烯的浓度为1-3mg/ml；旋涂含有黑磷烯的溶液的速度为2000-3000转/分钟以及时间为1-3分钟，干燥处理的温度为110-130℃以及时间为10-20分钟。/n