[发明专利]用于纳米线半导体器件的内间隔有效
| 申请号： | 201810175021.5 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108538913B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | K·沃斯汀;H·梅尔腾斯;L·维特斯;A·西卡维;堀口直人 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在纳米线之间形成内间隔的方法(100)：提供(110)鳍片，所述鳍片包含交替的牺牲材料(4)的层与纳米线材料(3)的层的堆叠；选择性地除去(130)部分牺牲材料(4)，从而形成凹陷(5)；将电介质材料(10)沉积(140)到凹陷(5)中，形成在凹陷(5)中的电介质材料和在凹陷(5)外的多余的电介质材料，其中在各凹陷(5)中的电介质材料中保持缝隙(11)；使用第一蚀刻剂除去(150)多余的电介质材料；使用第二蚀刻剂扩大(160)缝隙(11)，形成间隙(12)，使得余下的电介质材料仍然覆盖牺牲材料并部分覆盖纳米线材料，使得外端可接近；在外端上生长(170)电极材料，使得从相邻外端生长的电极材料合并，从而覆盖间隙(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 半导体器件 间隔 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件的纳米线之间形成内间隔的方法(100)，该方法(100)包括：‑提供(110)至少一个鳍片，所述鳍片包含交替的牺牲材料(4)的层与纳米线材料(3)的层的堆叠，‑选择性地除去(130)纳米线材料(3)之间的部分牺牲材料(4)，从而在纳米线材料(3)的层之间形成凹陷(5)，‑将电介质材料(10)沉积(140)到凹陷(5)中，形成在凹陷(5)中的电介质材料和在凹陷(5)外的多余的电介质材料，其中在各凹陷(5)中的电介质材料中保持缝隙(11)，‑使用第一蚀刻剂除去(150)多余的电介质材料，‑然后，使用第二蚀刻剂扩大(160)缝隙(11)，形成间隙(12)，使得余下的电介质材料仍然覆盖牺牲材料并部分覆盖纳米线材料，‑其中，在扩大(160)缝隙(11)后，纳米线材料的外端是可接近的，‑在纳米线材料(3)的外端上生长(170)电极材料，使得从相邻外端生长的电极材料合并，从而覆盖间隙(12)，其中内间隔包含间隙(12)。
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