[发明专利]一种圆极化基片集成腔天线有效
| 申请号: | 201810174470.8 | 申请日: | 2018-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN110224219B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 王晓川;于晨武;楼熠辉;吕文中 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q13/10 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春;李智 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明公开一种圆极化基片集成腔天线,包括:上层介质基板和下层介质基板;下层介质基板包括由金属通孔围成的基片集成波导,上层介质基板包括基片集成腔和位于所述基片集成腔上表面的两个金属寄生贴片,基片集成波导用于通过馈电缝隙对所述基片集成腔进行馈电,基片集成腔用于对馈电得到的能量进行高次模谐振并以线极化波的形式辐射;两个金属寄生贴片用于在贴片上同时产生平行馈电缝隙和垂直馈电缝隙的两个电流,垂直缝隙方向的电流使得腔体的最大辐射方向沿法线方向,平行缝隙方向的电流产生与腔体辐射波相互正交的线极化波以合成圆极化波辐射。本发明不需要外部的功分移相馈电网络,通过缝隙的单馈电结构就能获得高增益、宽带圆极化天线。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 极化 集成 天线 | ||
【主权项】:
1.一种圆极化基片集成腔天线,其特征在于,包括:上层介质基板和下层介质基板;所述下层介质基板包括由金属通孔围成的基片集成波导,所述上层介质基板包括基片集成腔和位于所述基片集成腔上表面的两个金属寄生贴片,所述基片集成波导用于通过馈电缝隙对所述基片集成腔进行馈电,所述基片集成腔用于对馈电得到的能量进行高次模谐振并以线极化波的形式辐射;所述两个金属寄生贴片沿基片集成腔表面对角线对称分布,用于在贴片上产生平行馈电缝隙和垂直馈电缝隙的两个电流,其中,垂直馈电缝隙方向上的电流用以改变基片集成腔内高次模的场分布,使得其最大辐射方向沿着腔体法线方向,且腔体辐射的极化方向垂直馈电缝隙;平行馈电缝隙方向上的电流产生辐射,其最大辐射方向也沿腔体法线方向,且其极化方向为平行馈电缝隙方向;垂直馈电缝隙方向和平行馈电缝隙方向的两个辐射构成相互正交的线极化波;通过调整两贴片的几何参数,使得所述两个极化方向相互正交的线极化波的幅值相等、相位相差90度,合成圆极化波辐射。
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