[发明专利]一种GaN HEMT加速寿命试验方法有效
| 申请号： | 201810168871.2 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108333209B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 潘宏菽;宋建博;杨中月;崔玉兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01N25/00 | 分类号： | G01N25/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 谢茵 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT加速寿命试验方法，该方法包括：选取多个相同工艺制备的GaN HEMT器件，并将多个所述GaNHEMT器件进行随机分组，形成至少四个寿命试验组；其中，所述寿命试验组包括一个变化温度试验组和至少三个固定温度试验组；对每个所述固定温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加相同的试验直流功率，并进行电参数测试，得到第一失效数据；对所述变化温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加与所述固定温度试验组相同的所述试验直流功率，并进行电参数测试，得到第二失效数据；根据所述试验温度、第一失效数据和第二失效数据，获得温度‑寿命曲线。本发明能够验证GaN HEMT加速寿命试验的一致性，提高试验的可信性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 加速 寿命 试验 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT加速寿命试验方法，其特征在于，包括：选取多个相同工艺制备的GaN HEMT器件，并将多个所述GaN HEMT器件进行随机分组，形成至少四个寿命试验组；其中，所述寿命试验组包括一个变化温度试验组和至少三个固定温度试验组；对每个所述固定温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加相同的试验直流功率，并进行电参数测试，得到第一失效数据；其中，每个所述固定温度试验组的试验温度互不相同，所述第一失效数据包括第一失效数和第一失效时间；对所述变化温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加与所述固定温度试验组相同的所述试验直流功率，并进行电参数测试，得到第二失效数据；其中，所述第二失效数据包括第二失效数和第二失效时间；根据所述试验温度、第一失效数据和第二失效数据，获得温度‑寿命曲线。
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