[发明专利]Si基GaN压力传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201810166869.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108598253B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 谭鑫;吕元杰;周幸叶;宋旭波;王元刚;冯志红;马春雷;邹学锋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张贵勤 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在GaN晶圆上制备压力敏感单元，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层；在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将形成所述压力敏感单元后的所述GaN晶圆与所述密封腔体键合，形成压力传感器，其中，所述GaN晶圆的衬底与所述第一硅片的表面接触。本发明能够实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | si gan 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：在GaN晶圆上制备压力敏感单元，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层；在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将形成所述压力敏感单元后的所述GaN晶圆与所述密封腔体键合，形成压力传感器，其中，所述GaN晶圆的衬底与所述第一硅片的表面接触。
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