[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括单元存储器区和外围区，衬底上有多个栅极叠层结构，单元存储器区中远离外围区的为第一栅极叠层结构，外围区中邻近单元存储器区的为第二栅极叠层结构，单元存储器区的相邻栅极叠层结构与衬底、第二栅极叠层结构和相邻的单元存储器区栅极叠层结构与衬底围成沟槽；在沟槽顶部部分深度内形成覆盖层，与相邻栅极叠层结构和衬底围成空气侧墙；在第一栅极叠层结构远离第二栅极叠层结构的侧壁、第二栅极叠层结构远离第一栅极叠层结构的侧壁形成侧墙。本发明在覆盖层的阻挡作用下，侧墙不会形成于沟槽中，空气侧墙能减小相邻字线间的电容，改善了NAND闪存器件的重复读写能力及在编程过程中的串扰问题。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括单元存储器区和外围区，所述衬底上形成有多个分立的栅极叠层结构，所述单元存储器区中远离所述外围区一侧的栅极叠层结构为第一栅极叠层结构，所述外围区中邻近所述单元存储器区的栅极叠层结构为第二栅极叠层结构，所述单元存储器区的相邻栅极叠层结构与所述衬底、以及所述第二栅极叠层结构和相邻的单元存储器区栅极叠层结构与所述衬底围成沟槽；在所述沟槽顶部的部分深度内形成覆盖层，所述覆盖层、相邻栅极叠层结构和衬底围成空气侧墙；形成所述覆盖层后，在所述第一栅极叠层结构远离所述第二栅极叠层结构一侧的侧壁、以及所述第二栅极叠层结构远离所述第一栅极叠层结构一侧的侧壁形成侧墙。