[发明专利]一种含硅烷末端基的芴嵌段噻吩阴极界面层的制备方法在审
| 申请号： | 201810164185.8 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108440742A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 周丹;徐镇田;秦元成;郑夏 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/46 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 张荣 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含硅烷末端基的芴嵌段噻吩阴极界面层的制备方法，首次将9,9‑双(2’‑(2’‑(2’‑甲氧基)乙氧基)乙基)‑2,7‑二溴芴和3‑(6‑((2,5‑二溴噻吩)‑3‑甲氧基己基)‑1,1,1,3,5,5,5‑六甲基硅烷通过Kumada催化剂转移偶联聚合得到目标嵌段聚合物PFEO‑b‑PTSi。聚合物用正己烷沉降，用索氏提取器提取，用中性氧化铝过柱，烘干得到淡黄色蓬松状固体。由于侧链含有极性烷氧基链和硅氧基链，赋予该嵌段聚合物既可以实现水和醇等极性溶剂加工，力学性能好，环境友好，能降低功函，又能改善上层活性层的形貌。可作为有机光伏电池、发光二极管和FET等器件的优良的阴极界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极界面层 嵌段聚合物 末端基 硅烷 嵌段 制备 形貌 有机光伏电池 催化剂转移 发光二极管 甲氧基己基 六甲基硅烷 索氏提取器 中性氧化铝 二溴噻吩 环境友好 极性溶剂 力学性能 烷氧基链 聚合物 沉降 淡黄色 二溴芴 硅氧基 活性层 甲氧基 蓬松状 乙氧基 正己烷 烘干 侧链 功函 偶联 乙基 聚合 上层 赋予 加工 | ||
【主权项】：
1.含硅烷末端基的芴嵌段噻吩PFEO‑b‑PTSi的制备方法，其特征在于反应方程式如下：![]()
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