[发明专利]识别气态分子污染源的方法在审
| 申请号： | 201810163704.9 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108548892A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 庄子寿;黄正吉;周政隆;杨棋铭;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种识别车间中的气态分子污染(AMC)泄露源的方法。该方法包括在车间中分布传感器，进行车间中的正向气流的计算流体动力学(CFD)仿真，设定车间中的正向气流的CFD仿真的反演模型，利用车间中的AMC测量数据建立传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库，以及利用传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库识别AMC泄露源。 | ||
| 搜索关键词： | 车间 概率分布矩阵 空间响应 气态分子 传感器 正向 泄露 计算流体动力学 分布传感器 数据库识别 测量数据 反演模型 污染源 数据库 污染 | ||
【主权项】：
1.一种识别晶圆制造车间中的气态分子污染(AMC)泄露源的装置，所述装置包括：气态分子污染控制器；多个传感器，分布在所述车间内，并且被配置为监测制造所述晶圆的环境中的气态分子污染浓度水平，并且被配置为与所述气态分子污染控制器连接，其中，所述传感器的布局是在对车间内制造所述晶圆的环境进行不同条件下的正向气流计算流体动力学仿真时进行设定，以通过最少量的传感器追踪所述车间内的制造所述晶圆的环境中的气态分子污染泄露源；其中，确定所述传感器布局包括调整所述车间中的传感器的数量和传感器的位置；以及数据存储单元，与所述气态分子污染控制器集成，所述数据存储单元被配置为存储所述传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库；所述晶圆包括衬底、隔离部件、源极、漏极和栅叠层；其中，所述隔离部件、所述源极和所述漏极形成在所述衬底中，所述栅叠层形成在所述衬底上方并且位于所述源极和所述漏极之间。
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