[发明专利]一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法在审
| 申请号： | 201810161404.7 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108376738A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;徐浩然;杜琛;王倩倩;单亚兵 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法，包括以下步骤：(1)：首先，在二维相变材料表面生长一层金属薄膜；(2)：接着，对二维相变材料进行退火，使得金属薄膜吸收热量转变为纳米金属颗粒；(3)：最后，将退火后的二维相变材料转入微波腔体，微波处理，即实现二维相变材料发生半导体‑金属相变。与现有技术相比，本发明使用纳米金属颗粒辅助微波诱导二维半导体材料发生相变，方法简单易实现，特别是在具有二维相变材料的电子器件中可简单容易的实现相变过程，因而在电子行业具有广泛的应用价值和前景。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料 二维 纳米金属颗粒 辅助微波 退火 半导体金属 金属薄膜 二维半导体 表面生长 电子器件 电子行业 金属相变 微波处理 微波腔体 吸收热量 相变过程 半导体 诱导 转入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)：首先，在二维相变材料表面生长一层金属薄膜；(2)：接着，对二维相变材料进行退火，使得金属薄膜吸收热量转变为纳米金属颗粒；(3)：最后，将退火后的二维相变材料转入微波腔体，微波处理，即实现二维相变材料发生半导体‑金属相变。
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