[发明专利]半导体锭的检查方法、检查装置和激光加工装置

摘要

提供半导体锭的检查方法、检查装置和激光加工装置。半导体锭的检查方法具有：分离起点形成步骤，将对于半导体锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距离上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度并且使聚光点与半导体锭相对地移动而对上表面照射激光束，形成由与上表面平行的改质层和从改质层伸长的裂纹构成的分离起点；照射步骤，从光源按照相对于上表面规定的入射角对半导体锭的上表面照射光；拍摄步骤，对利用在照射步骤中对半导体锭的上表面照射的光的反射光而形成的投影像进行拍摄而形成拍摄图像，在投影像中强调了受改质层和裂纹影响而产生在上表面的凹凸；和判定步骤，对所形成的拍摄图像和预先设定的条件进行比较而判定改质层和裂纹的状态。

主权项

1.一种半导体锭的检查方法，其特征在于，该半导体锭的检查方法具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于半导体锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距离上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该半导体锭相对地移动而对该上表面照射激光束，形成由与该上表面平行的改质层和从该改质层伸长的裂纹构成的分离起点；照射步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从光源对形成有该分离起点的半导体锭的该上表面相对于该上表面以规定的入射角照射光；投影像形成步骤，利用在该照射步骤中对半导体锭的该上表面照射的光的反射光来形成投影像，在该投影像中强调了受该改质层和该裂纹影响而产生在该上表面上的凹凸；拍摄步骤，对该投影像进行拍摄而形成拍摄图像；以及判定步骤，对所形成的该拍摄图像和预先设定的条件进行比较而判定该改质层和该裂纹的状态。