[发明专利]气体导入机构及热处理装置有效
| 申请号： | 201810158626.3 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108538748B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 永田朋幸;冈部庸之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体导入机构及热处理装置，能够防止气体在歧管与喷射器的连接部分泄漏。一实施方式的气体导入机构具有：纵长的处理容器；喷射器，其沿着所述处理容器的内周壁的纵向方向设置，并且被设为至少在所述处理容器的下部与所述内周壁之间具有间隔；歧管，其从下方支承所述喷射器；推压力产生构件，其在所述喷射器的下部对所述喷射器施加从下方朝向上方的推压力；以及限制构件，其用于限制所述喷射器向上方移动。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 导入 机构 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气体导入机构，其中，该气体导入机构具有：纵长的处理容器；喷射器，其沿着所述处理容器的内周壁的纵向方向设置，并且被设为至少在所述处理容器的下部与所述内周壁之间具有间隔；歧管，其从下方支承所述喷射器；推压力产生构件，其在所述喷射器的下部对所述喷射器施加从下方朝向上方的推压力；以及限制构件，其用于限制所述喷射器向上方移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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