[发明专利]一种采用全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管的MRAM存储芯片

摘要

本发明公开了一种采用全耗尽绝缘硅FD‑SOI场效应管的MRAM存储芯片及调节栅极电位的设计方法，所述MRAM存储阵芯片的每个MRAM存储单元的场效应管采用全耗尽绝缘硅FD‑SOI场效应管，包括一个体电位控制单元。工作状态下FD‑SOI场效应管的背栅极电位V_body的值Vb可灵活配置为适当范围内的任意值。所述设计方法写0方向时：源线电位V_SL设为V0+Vb，位线电位V_BL设为0，栅极(字线)电位V_G设为Vdd+Vb。写1方向时：源线电位V_SL设为Vb，位线电位V_BL设为V1+Vb，栅极(字线)电位V_G设为Vdd+Vb。本发明能够消除体硅场效应管存在的闩锁效应，可以调节背栅极电位，解决写电路提供的驱动电流不足的问题。

主权项

1.一种采用全耗尽绝缘硅FD‑SOI场效应管的MRAM存储芯片，所述MRAM芯片存储芯片的每个MRAM存储单元的场效应管采用全耗尽绝缘硅FD‑SOI场效应管，其特征在于，所述MRAM芯片还包括一个体电位控制单元，调控存储芯片的背栅极体电位。