[发明专利]超快响应的抗辐照三维探测器

摘要

本发明所采用的技术方案为，一种超快响应的抗辐照三维探测器，包括柱状的半导体基体，半导体基体通过深离子刻蚀得到柱状电极，探测器厚度及电极的厚度均为100μm至200μm，柱状电极的上表面均设有Al金属层，Al金属层与外围读出电路用bonding‑bonding技术连接；探测器上表面、柱状电极之间的部分覆盖有1μm的绝缘体层，探测器的底部覆盖有1μm的绝缘体层。本发明探测器的电极宽度为5μm，电极间距为5‑10μm，使得探测器的电荷收集性能更加优越。强辐照情况下，因半导体的晶格损伤形成缺陷，直接降低电子和空穴的有效漂移长度。

主权项

1.一种超快响应的抗辐照三维探测器，其特征在于，包括柱状的半导体基体(3)，半导体基体(3)通过深离子刻蚀得到柱状电极，探测器厚度及电极的厚度均为100μm至200μm，柱状电极的上表面均设有Al金属层(4)，Al金属层(4)与外围读出电路用bonding‑bonding技术连接；探测器上表面、柱状电极之间的部分覆盖有1μm的绝缘体层(5)，探测器的底部覆盖有1μm的绝缘体层(5)。