[发明专利]一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法有效
| 申请号： | 201810154805.X | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108257645B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 荣佑丽;郭艳艳;王昌强;王荧;蔡志匡 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法，在低电压SRAM上增加测试电路，形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1，能够准确测量低电压SRAM单元中的稳定性故障，同时，通过在低电压SRAM内注入稳定性故障，通过外加测试电路的方式来攻击该低电压SRAM，可以避免对内部低电压SRAM造成干扰，并可以减小交叉耦合的晶体管与电源或地之间稳定性故障的最小可检测电阻，以达到提高检测灵敏性的目的，测试方法，精确度高，设计巧妙，具有良好的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 电压 sram 稳定性 故障测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤（A），在低电压SRAM上增加测试电路，形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1；步骤（B），根据步骤（A），在测试模式下将低电压SRAM的位线BLB设置为浮动0和浮动1，并执行写操作，其中，位线BLB设置为浮动0，用于检测上拉晶体管与电源VDD之间的稳定性故障；位线BLB设置为浮动1，用于检测下拉晶体管与地之间的稳定性故障；步骤（C），在低电压SRAM内交叉耦合的上拉晶体管的漏极与电源VDD之间、下拉晶体管的源极与地之间，分别依次注入阻值不同的电阻，观察低电压SRAM的输出状态，直到读写发生错误，得到各状态下的稳定性故障，并记录此时对应的最小可检测电阻。
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