[发明专利]一种射频芯片的版图结构在审
申请号: | 201810147179.1 | 申请日: | 2018-02-12 |
公开(公告)号: | CN108281421A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 侯兴江;石雯 | 申请(专利权)人: | 上海矽杰微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201800 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种射频芯片的版图结构,包括:晶片,晶片一中心区以及包围中心区的边缘区;中心区内制备有一射频接收电路和一射频发射电路;中心区和边缘区之间由金属隔离环进行划分定义;其中,金属隔离环中存在有用于断开金属隔离环的环形回路的多个断口;邻近每个断口处的边缘区内设置有与对应的断口走向平行的金属隔离段;所形成的金属隔离环能够将与用于收发射频信号的电路产生耦合降至最低,有效地保证了射频信号的性能。 | ||
搜索关键词: | 金属 隔离环 中心区 版图结构 射频芯片 边缘区 断口 晶片 集成电路技术 射频发射电路 射频接收电路 收发射频信号 电路产生 环形回路 射频信号 耦合 断口处 隔离段 有效地 断开 制备 平行 邻近 隔离 包围 保证 | ||
【主权项】:
1.一种射频芯片的版图结构,其特征在于,包括:晶片,所述晶片一中心区以及包围所述中心区的边缘区;所述中心区内制备有一射频接收电路和一射频发射电路;所述中心区和所述边缘区之间由金属隔离环进行划分定义;其中,所述金属隔离环中存在有用于断开所述金属隔离环的环形回路的多个断口;邻近每个所述断口处的所述边缘区内设置有与对应的所述断口走向平行的金属隔离段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海矽杰微电子有限公司,未经上海矽杰微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810147179.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的