[发明专利]一种碳化硅二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810145040.3 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108461549A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/16;H01L21/329 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林晓琴 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅二极管器件，其元胞结构包括：自上而下以此设置阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层顶部设有接触槽，所述阳极金属底部设有突起部，所述接触槽与所述突起部相互匹配，本发明还提供一种碳化硅二极管器件的制备方法，解决结势垒肖特基二极管中，由于pn结区域的存在，导通状态下器件有效导通面积较小，导致导通电阻较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅二极管 阳极金属 接触槽 突起部 制备 结势垒肖特基二极管 导通电阻 导通状态 阴极金属 有效导通 元胞结构 衬底 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅二极管器件，其特征在于：其元胞结构包括：自上而下以此设置阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层顶部设有接触槽，所述阳极金属底部设有突起部，所述接触槽与所述突起部相互匹配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司，未经泰科天润半导体科技(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810145040.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及其制作方法和应用
- 下一篇：一种肖特基二极管设计和制作方法
- 同类专利
- 专利分类
