[发明专利]外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法

摘要

本发明提供了一种外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法，旨在解决现有的工艺比较复杂的问题。一种外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、选择性腐蚀层、薄膜支撑层、高阻隔离层、重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。正面制作GaAs基单管器件的方法：A1、片上肖特基器件的制作步骤；B1、对片上肖特基器件进行隔离；C1、衬底脱落。GaAs基片上集成变频电路的制作方法：A2、片上肖特基器件制作步骤。B2、去除重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。C2、集成无源器件。D2、对片上肖特基器件进行隔离。E2、通过空气桥工艺和电镀工艺制作梁式引线。F2、衬底脱落。本发明工艺简化，节约了成本。

主权项

1.一种正面工艺制作GaAs基单管器件和片上集成变频电路的外延结构，其特征是：从下至上依次包括衬底(11)、缓冲层半导体(12)、选择性腐蚀层(13)、薄膜支撑层(14)、高阻隔离层(15)、重掺杂n+GaAs层(16)和低掺杂n‐GaAs层(17)。