[发明专利]一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810140969.7 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108336642A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙钱;冯美鑫;高宏伟;周宇;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/32 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 刘华 |
| 地址： | 330200 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 微腔激光器 氮化物半导体 电注入 热阻 制备 强光 光学限制层 提升器件 激光器 保证 | ||
【主权项】：
1.一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：包含n型接触层、下光学限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和p型接触层。
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