[发明专利]一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810136618.9 申请日: 2018-02-09
公开(公告)号: CN108346693A 公开(公告)日: 2018-07-31
发明(设计)人: 李兴冀;唐昭焕;王敬贤;杨剑群;刘文宝;吴雪;刘超铭;芮二明;易晓东 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所;中国航天标准化研究所
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L21/331
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳昕
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法,属于核科学与技术领域,为了解决纵向双极晶体管无法定量分离氧化物俘获正电荷和界面态。本发明通过增加栅极单元,以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态;栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方;栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm;栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于0.2μm;并且栅极单元的面积小于或等于整个基区面积的1/4。有益效果为准确定量表征辐射诱导氧化物和界面态缺陷的状态。
搜索关键词: 栅极单元 界面态 氧化物 基区 发射区接触孔 氧化物电荷 双极器件 制备 纵向双极晶体管 分离氧化物 界面态缺陷 定量表征 定量分离 辐射诱导 准确定量 电荷 发射孔 接触孔 外边缘 正电荷 俘获
【主权项】:
1.一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元,其特征在于,该结构单元通过增加栅极单元,以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态;所述栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方;所述栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm;栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于0.2μm;并且栅极单元的面积小于或等于整个基区面积的1/4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所;中国航天标准化研究所,未经哈尔滨工业大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所;中国航天标准化研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810136618.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top