[发明专利]一种具有垂直结构的AlGaN\GaN功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810133689.3 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108511513B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨刚;王书昶;王善力;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11316 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有垂直结构的AlGaN/GaN功率器件及其制备方法，包括由下而上依次设置的漏极电极、n | ||
| 搜索关键词： | 上表面 介质钝化层 上表面齐平 垂直结构 源极电极 制备 器件工作电压 器件可靠性 功率器件 漏极电极 依次设置 栅极电极 高功率 覆盖 填充 对称 保证 表现 | ||
【主权项】：
1.一种具有垂直结构的AlGaN/GaN功率器件，其特征在于：包括由下而上依次设置的漏极电极、n
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