[发明专利]一种富硒广山楂的种植方法

摘要

本发明公开了一种富硒广山楂的种植方法，属于广山楂种植技术领域。所述富硒广山楂的种植方法包括如下步骤：步骤1：种植地选址；步骤2：选广山楂种苗；步骤3：挖植穴；步骤4：栽培定植；步骤5：中耕除草；步骤6：施有机肥；步骤7：整形修剪；步骤8：病虫害防治；步骤9：叶面喷洒富硒剂。采用本发明的种植方法，使其所生产的广山楂营养成分较为全面、且富含人体所需的硒元素，广山楂叶芽和广山楂花中的含硒量≥2.80/kg，且安全品质高。

主权项

1.一种富硒广山楂的种植方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：种植地选址选择热带或亚热带、气候干旱的季节有充足的水源、土壤中富硒、排水性良好的土地为广山楂种植地；步骤2：选广山楂种苗选择无病虫害的广山楂种苗；步骤3：挖植穴在步骤1的种植地内挖植穴，植穴的长×宽×高为0.8m×0.8m×0.9m，行距为4.5m×4.5m,株距为4.5m×4.5m；步骤4：栽培定植栽培定植时间在元月下旬至立春前，先将经过沤制的农家肥13kg或者生物有机肥6kg，与杂草20kg、生石灰0.25kg混合均匀后，再与种植地的表层土混合均匀，填入到步骤3的植穴内，将步骤2选取的广山楂种苗植入到上述植穴内，每个植穴内种一株广山楂种苗；接着盖上种植土，并使种植土高于地表20cm；夯实后浇足定植水；步骤5：中耕除草在广山楂种苗定植成活后，从4月份至8月份，每两个月分别进行一次除草；步骤6：施生物有机肥在6月份中耕除草后，扩穴施生物有机肥，每株广山楂植株施生物有机肥10kg，表面盖上种植土；步骤7：整形修剪从8月份开始至12月份，每两个月进行一次整形修剪；修剪采用分层形，保留主树干，分三层，第一层距地表80cm，保留3条枝干，枝干之间的夹角为120°，第二层距第一层的层间距为60cm，保留3条枝干，第三层保留4条枝干，树冠形成第三层后将主树干延长枝去除，整个树冠高度控制在3.5m以内；步骤8：病虫害防治次年2月份和3月份分别采用有机农药喷洒广山楂植株1次，4月底以前，在种植地的地面撒石灰粉1次；秋季清扫果园，消除病僵果；步骤9：叶面喷洒富硒剂次年2月份和8月份，将富硒剂与水按体积比1:100混合稀释后，分别向广山楂的叶面各喷施1次，施肥量为100‑300g富硒剂/亩/次。