[发明专利]像素单元及其成像方法和成像装置有效

专利信息
申请号: 201810130550.3 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108270981B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 莫要武;徐辰;邵泽旭;张正民;马伟剑;任冠京;石文杰;高哲;谢晓 申请(专利权)人: 思特威(上海)电子科技股份有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/225
代理公司: 北京天驰君泰律师事务所 11592 代理人: 孟锐
地址: 200131 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供像素单元及其成像方法和成像装置。像素单元包括:第一光电二极管,第一转移晶体管,耦合至浮动扩散区域并将第一光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域;第二光电二极管,第二转移晶体管,耦合至浮动扩散区域并将第二光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域,其中第二光电二极管的感光面积与所述第一光电二极管的感光面积不同;电容,其第一极耦合至指定电压;增益控制晶体管,耦合在电容第二极和浮动扩散区域之间,对电容和浮动扩散区域进行隔离控制;复位晶体管,耦合至电容的第二极和增益控制晶体管,经复位控制信号重置电容第二极和增益控制晶体管的耦合点电位;及源极跟随晶体管,耦合至浮动扩散区域,放大输出所述像素信号。
搜索关键词: 像素 单元 及其 成像 方法 装置
【主权项】:
1.一种像素单元,包括:第一光电二极管,第一转移晶体管,耦合至浮动扩散区域并将所述第一光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域;第二光电二极管,第二转移晶体管,耦合至浮动扩散区域并将第二光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域,其中所述第二光电二极管的感光面积与所述第一光电二极管的感光面积不同;电容,其第一极耦合至指定电压;增益控制晶体管,其耦合在所述电容第二极和浮动扩散区域之间,对所述电容和浮动扩散区域进行隔离控制;复位晶体管,耦合至所述电容的第二极和增益控制晶体管,经复位控制信号重置所述电容第二极和增益控制晶体管的耦合点电位;以及源极跟随晶体管,耦合至所述浮动扩散区域,其放大输出所述像素信号。
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