[发明专利]MEMS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810118216.6 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110116984B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 黄风建 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法，在第一基底上形成MEMS结构与第一键合垫，在第二基板上形成第二键合垫与侧墙，所述侧墙位于所述第二键合垫之上，所述侧墙位于所述第二键合垫的边缘且所述侧墙呈闭合形状，将所述第一基底上的第一键合垫压接至所述第二基板上的第二键合垫进行键合，所述侧墙包围所述第一键合垫，在键合过程中所述侧墙能够阻挡所述第一键合垫的溢出，并且由于所述侧墙形成在所述第二基底上，能够避免形成侧墙的过程中对MEMS造成的损伤，并且由于在所述第一键合垫上不会有侧墙残留，在一定程度上提高了键合效率。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一基底，在所述第一基底上形成MEMS结构以及位于所述MEMS结构上的多个第一键合垫；提供一第二基底，在所述第二基底上形成多个第二键合垫及多个侧墙，所述侧墙位于所述第二键合垫之上，所述侧墙位于所述第二键合垫的边缘且所述侧墙呈闭合形状；进行键合工艺，将所述第一基底上的第一键合垫压接至所述第二基底上的第二键合垫上进行键合，所述侧墙包围所述第一键合垫。
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