[发明专利]砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置及制造方法有效
| 申请号： | 201810114098.1 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108417976B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 谷建强;王可蒙;余晴;欧阳春梅;田震;韩家广;张伟力 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及太赫兹波发射装置，为提高纳米超材料对光电导天线性能的调制能力，实现增大光电流，提高天线的辐射功率和效率，同时减小飞秒激光在半导体中的趋肤深度，使载流子漂移运动方向更好的束缚在半导体表面。为此，本发明采用的技术方案是，砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置及制造方法，由纳米结构层、光电导天线和硅透镜构成，纳米结构层由固定间隔周期性排列的柱状单元结构组成，纳米结构层布设在光电导天线衬底层正面的两根平行金属电极中间，所述柱状单元的一端与衬底层相连；硅透镜贴在光电导天线衬底层背面。本发明主要应用于太赫兹波发射装置的设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 纳米 阵列 赫兹 发射 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓纳米柱阵列太赫兹波发射装置，其特征是，由纳米结构层、光电导天线和硅透镜构成，纳米结构层由固定间隔周期性排列的柱状单元结构组成，纳米结构层布设在光电导天线衬底层正面的两根平行金属电极中间，所述柱状单元的一端与衬底层相连；硅透镜贴在光电导天线衬底层背面。
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