[发明专利]多通道拓扑绝缘体结构、制备方法及电学器件有效
| 申请号： | 201810111325.5 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108428789B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 何珂;姜高源;薛其坤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王赛 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘间隔层，所述多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘体间隔层交替的叠加在所述绝缘基底表面，相邻的两个所述拓扑绝缘体量子阱薄膜之间通过一个所述绝缘间隔层间隔。本发明还公开了一种多通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种电学器件。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 拓扑 绝缘体 结构 制备 方法 电学 器件 | ||
【主权项】：
1.一种多通道拓扑绝缘体结构，其特征在于，包括：绝缘基底、多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘间隔层，所述多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘体间隔层交替的叠加在所述绝缘基底表面，相邻的两个所述拓扑绝缘体量子阱薄膜之间通过一个所述绝缘间隔层间隔。
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