[发明专利]一种集多值存储和逻辑运算于一体的器件单元及操作方法有效
| 申请号： | 201810111023.8 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108417709B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 时倩;林汉轩;郁扬;江凤仙;王文彬;殷立峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H03K19/20 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于多值存储和逻辑运算技术领域，具体为一种集多值存储与逻辑运算于一体的器件单元及其操作方法。本发明器件单元包括由复杂强关联氧化物薄膜制备成的微纳米线、生长薄膜的衬底以及在其表面微纳加工得到的多对侧栅电极。当在侧栅电极上施加多对电压，可局域调控复杂强关联氧化物微纳米线金属绝缘体转变，实现多值信息存储。同时在该器件上可实现“非”、“与非”、“或非”等逻辑运算。采用电场调控读写数据，有利于降低器件存储单元功耗，同时将多值存储和逻辑运算集于同一器件单元，可简化器件结构，提高集成度。采用不同对电极写入数据，有利于独立的对各对电极进行调控和优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集多值 存储 逻辑运算 一体 器件 单元 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集电场驱动型多值存储和逻辑运算于一体的器件单元，其特征在于，包括，衬底（1）、生长于衬底上的复杂强关联氧化物薄膜制备成的微纳米线（2）、用于测量微纳米线电输运的电极（3），以及用于驱动金属绝缘体相变的多对侧栅电极，该侧栅电极包括第一侧栅电极（4）和第二侧栅电极（5）；其中，在所述侧栅电极上施加电压，使得微纳米线局域的由绝缘态转变为金属态，阻值变化，通过在N对电极上操作，得到2N个组态，实现多值存储；同时，通过在一对或两对电极上施加不同的电压值，实现“非”、“与非”、“或非”逻辑操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810111023.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
