[发明专利]一种硅片制绒方法在审
| 申请号： | 201810106611.2 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108305915A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 熊诗龙;金井升;刘长明;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硅片制绒方法，包括在硅片表面沉积金属颗粒；将所述硅片的表面氧化成二氧化硅，清洗掉所述金属颗粒下面的二氧化硅，形成刻蚀坑，使所述金属颗粒下沉；清洗所述硅片并利用强碱溶液浸泡，在所述金属颗粒周围的硅片表面形成绒面，并将所述金属颗粒暴露在所述硅片的表面；去除所述金属颗粒，对所述绒面进行修饰；清洗并烘干所述硅片。上述硅片制绒方法，能够使沉积的金属颗粒最终暴露在硅片表面，从而更容易在后续工序中去除。 | ||
| 搜索关键词： | 金属颗粒 硅片 硅片表面 硅片制绒 清洗 二氧化硅 去除 绒面 沉积金属颗粒 表面氧化 后续工序 强碱溶液 暴露 烘干 刻蚀 沉积 修饰 下沉 浸泡 申请 | ||
【主权项】：
1.一种硅片制绒方法，其特征在于，包括：在硅片表面沉积金属颗粒；将所述硅片的表面氧化成二氧化硅，清洗掉所述金属颗粒下面的二氧化硅，形成刻蚀坑，使所述金属颗粒下沉；清洗所述硅片并利用强碱溶液浸泡，在所述金属颗粒周围的硅片表面形成绒面，并将所述金属颗粒暴露在所述硅片的表面；去除所述金属颗粒，对所述绒面进行修饰；清洗并烘干所述硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
