[发明专利]一种适应亚微米像素的UTBB光电探测元件及装置

摘要

一种适应亚微米像素的UTBB光电探测元件及装置，其中，所述UTBB光电探测元件包括：UTBB结构与设置在所述UTBB结构上表面的场效应晶体管，其特点是具有不对称的源端、漏端区域，通过光生载流子对所述场效应晶体管的阈值电压产生的影响，从而根据漏端电流间接评估光照强度。本发明的优点为，在微观结构上，单个像素单元内仅包括一个晶体管，减小了单个像素单元的体积，像素单元采用“槽”隔离方式，降低了串扰，衬底结构可采用均匀掺杂，简化了工艺和注入工艺所引起的元件损伤。在宏观结构上，探测元件阵列的组成方式与现有SOI MOSFET工艺相兼容，便于阵列化时序设计，使其更适合于亚微米像素。

主权项

1.一种适应亚微米像素的UTBB光电探测元件，其特征在于，包括：UTBB结构与设置在所述UTBB结构上表面的场效应晶体管。