[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810101229.2 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108417672B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述发光二极管外延片还包括导热薄膜，所述导热薄膜设置在所述衬底和所述缓冲层之间，所述导热薄膜的组成物质包括碳单质，所述碳单质的原子个数占所述导热薄膜的原子个数的90％以上。本发明通过在衬底上先形成碳单质的原子个数在90％以上的导热薄膜，再在导热薄膜上依次层叠缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，由于碳单质的导热性很好，有利于多量子阱中铟原子的均匀分布，最终改善外延片的光电性能的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 导热薄膜 发光二极管外延 碳单质 衬底 缓冲层 多量子阱层 依次层叠 制备 导热性 半导体技术领域 多量子阱 光电性能 外延片 铟原子 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括导热薄膜，所述导热薄膜设置在所述衬底和所述缓冲层之间，所述导热薄膜的组成物质包括碳单质，所述碳单质的原子个数占所述导热薄膜的原子个数的90％以上；所述碳单质包括金刚石和石墨，所述金刚石的原子个数超过所述碳单质的原子个数的50％；所述导热薄膜的组成物质还包括硅单质，所述硅单质的原子个数占所述导热薄膜的原子个数的5％～10％。
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