[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810094429.X | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108231814A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 穆钰平;周艮梅;黄晓橹;陈世杰;吕相南 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器及其形成方法，其中，图像传感器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括多个分立的感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区，各感光区衬底中分别具有感光元件，所述第二面暴露出所述感光元件；在隔离区衬底中形成沟槽，所述第一面暴露出所述沟槽；对所述沟槽底部和侧壁进行掺杂处理，在所述沟槽底部和侧壁的衬底中形成掺杂区；形成所述掺杂区之后，在所述沟槽中形成隔离结构。所述方法形成的图像传感器的暗电流较小。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 图像传感器 感光区 感光元件 掺杂区 第二面 隔离区 侧壁 隔离结构 暗电流 面暴露 分立 掺杂 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括多个分立的感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区，各感光区衬底中分别具有感光元件，所述第二面暴露出所述感光元件；在隔离区衬底中形成沟槽，所述第一面暴露出所述沟槽；对所述沟槽底部和侧壁进行掺杂处理，在所述沟槽底部和侧壁的衬底中形成掺杂区；形成所述掺杂区之后，在所述沟槽中形成隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
