[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810090949.3 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108258004A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 何延强;林宗德;杨龙康;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成第一外延层；在部分第一外延层内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一掺杂离子；形成所述第一掺杂区之后，在所述第一外延层的表面形成第二外延层；在部分所述第二外延层内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与第一掺杂区相接触，所述第二掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反。所述方法形成的图像传感器能够降低暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 外延层 掺杂离子 图像传感器 导电类型 掺杂 表面形成 基底表面 暗电流 基底 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成第一外延层；在部分第一外延层内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一掺杂离子；形成所述第一掺杂区之后，在所述第一外延层的表面形成第二外延层；在部分所述第二外延层内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与第一掺杂区相接触，所述第二掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
