[发明专利]一种具有高反射率背电场的太阳能电池片及其制备方法在审
申请号: | 201810087756.2 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108417646A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 童锐;沈晶;王海超;张满良;吴廷斌 | 申请(专利权)人: | 南通苏民新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 226300 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有高反射率背电场的太阳能电池片及其制备方法,所述的电池片的背电场从上到下依次为发射极N区,基底P区,BSF层,硅铝合金层和银膜层。通过先用化学试剂在形成铝背场的电池片上去除铝膜层,再用真空镀膜法在原先铝膜层的位置溅镀一层银膜制备而成。所制备的电池片从而大大提高了电池片的提高了开路电压和短路电流,同时能够降低串联电阻和提高填充因子。 | ||
搜索关键词: | 电池片 制备 背电场 太阳能电池片 高反射率 硅铝合金层 真空镀膜法 串联电阻 从上到下 短路电流 化学试剂 开路电压 填充因子 发射极 铝背场 铝膜层 银膜层 除铝 基底 溅镀 膜层 银膜 | ||
【主权项】:
1.一种制备具有高反射率背电场的太阳能电池片的方法,包括先用化学试剂在形成铝背场的电池片上去除铝膜层,再用真空镀膜法在原先铝膜层的位置溅镀一层银膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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