[发明专利]一种碳化硅器件表面制绒方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅器件表面制绒方法，该方法为：在需要制绒的器件表面涂布一层光刻胶，但不做任何光刻，直接进入烘箱烘烤；烘烤完成后，将带有光刻胶的SiC器件表面通过进行干法离子刻蚀；离子刻蚀完成后，将SiC表面的残余光刻胶及其他中间反应物沾污通过氧等离子体处理和RCA湿法清洗等手段去除，就能得到有效的表面亚微米结构，实现表面制绒和减反射。本申请用于SiC材料的探测器表面制绒时，可以有效的在光接收窗口表面制作出不定形的亚微米阵列结构，降低表面反射率，提高光子或射线的外量子效率，从而提高探测器的响应度和探测效率。

主权项

1.一种碳化硅器件表面制绒方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)在需要制绒的碳化硅器件表面涂布一层光刻胶，但不做任何光刻，直接进入烘箱烘烤；烘烤温度和时间控制低于在使用所选光刻胶进行常规干法刻蚀掩膜工艺时的温度与时间，即光刻胶在烘烤时要不完全烘烤固化；2)烘烤完成后，将带有光刻胶的碳化硅器件表面进行干法离子刻蚀，在碳化硅器件表面形成不规则的亚微米结构；3)离子刻蚀完成后，将碳化硅表面的残余光刻胶及其他中间反应物去除。