[发明专利]基于Sb2S3顶电池的叠层薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Sb₂S₃顶电池的叠层薄膜太阳能电池及其制备方法，属于薄膜太阳能电池领域，叠层薄膜太阳能电池包括由上至下的透明导电层、顶电池、中间复合层、底电池以及透明导电层和底电池下端的金属电极，所述顶电池为Sb₂S₃薄膜电池，所述底电池为PbS量子点薄膜电池。本发明的叠层电池是由Sb₂S₃薄膜电池和PbS量子点薄膜电池进行叠层而成的，其中Sb₂S₃薄膜电池的禁带宽度为1.73eV，PbS量子点薄膜电池的禁带宽度可以在1.03eV～1.45eV范围调节，所制备的叠层电池在禁带宽度上实现互补，能够拓宽光谱吸收范围，大幅提高光电转化效率，降低成本。

主权项

1.一种基于Sb₂S₃顶电池的叠层薄膜太阳能电池，其特征在于，包括由上至下的透明导电层、顶电池、中间复合层、底电池以及透明导电层和底电池下端的金属电极，所述顶电池为Sb₂S₃薄膜电池，所述底电池为PbS量子点薄膜电池；所述Sb₂S₃薄膜电池包括CdS缓冲层、Sb₂S₃薄膜吸收层、硒化重掺的Sb₂S₃层；所述CdS缓冲层的厚度为40nm～100nm，所述Sb₂S₃薄膜吸收层的厚度为150nm～350nm，所述硒化重掺的Sb₂S₃层的厚度为20nm～100nm；所述中间复合层包括Au层和ZnO纳米颗粒层，所述Au层的厚度为0.5nm～2nm，所述ZnO纳米颗粒层的厚度为100nm～250nm。