[发明专利]面向空间辐射环境的单粒子效应探测电路结构在审
| 申请号： | 201810082173.0 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108287302A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 沈自才;毕津顺;王海滨;刘宇明;向树红;田东波;夏彦 | 申请（专利权）人： | 北京卫星环境工程研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面向空间辐射环境的单粒子效应探测电路结构，主要包括SRAM单元存储电路和单粒子效应探测电路，单元存储电路包括SRAM单元阵列及其外围电路，外围电路包括灵敏放大器、行/列译码器、行/列地址缓存器、输入输出数据缓存器；单粒子效应探测电路包括列单元SEE电流检测传感器、行单元N阱SEE电流检测传感器、传感器扫描电路、SEU地址存储电路、时序控制电路。本发明通过改变SEE电流传感器的临界电荷或者耗尽层宽度，有效提高监测入射空间高能粒子的LET值，其LET值分辨率达到1MeV.cm2/mg。 | ||
| 搜索关键词： | 单粒子效应 探测电路 电流检测传感器 空间辐射环境 外围电路 缓存器 电路 地址存储电路 空间高能粒子 时序控制电路 输入输出数据 传感器扫描 电流传感器 灵敏放大器 存储电路 单元存储 列译码器 临界电荷 耗尽层 列单元 列地址 行单元 分辨率 入射 监测 | ||
【主权项】：
1.面向空间辐射环境的单粒子效应探测电路结构，主要包括SRAM单元存储电路和单粒子效应探测电路，所述的SRAM单元存储电路包括SRAM单元阵列及其外围电路，外围电路包括灵敏放大器、行/列译码器、行/列地址缓存器、输入输出数据缓存器；所述的单粒子效应探测电路包括列单元SEE电流检测传感器、行单元N阱SEE电流检测传感器、传感器扫描电路、SEU地址存储电路、时序控制电路。
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