[发明专利]一种半导体材料及制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810078425.2 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110085741A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿;郭升晖;贺耀武 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;C07D495/04 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能有机薄膜晶体管p型半导体材料、其制备方法、器件制作及应用，所述材料为基于BTBT核的一系列衍生物。所述材料为使用偶联反应而得，以其作为有机半导体的OTFT器件，具有迁移率高、阈值电压较低、稳定性较好等特点，可以解决现有BTBT基材料阈值电压高，难以进一步应用于实际应用中的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值电压 半导体材料 应用 有机薄膜晶体管 制备方法和应用 有机半导体 偶联反应 器件制作 基材料 迁移率 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料，其特征在于，其分子结构式如下：![]()
其中，所述R基团为‑CnH2n+1，1<n≤50。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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