[发明专利]一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片

摘要

本发明公开了一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括隔层、第一铜片、塑料体、凹陷槽、固定孔、固定底板、LOGO标志、第二铜片、线路表面保护层、焊盘、芯片源电极、芯片栅电极、芯片表面保护层、线路层、金属线、集成电路芯片、金属层、芯片本体、芯片沟槽，本发明的有益效果：通过芯片沟槽内线路层将所形成的漏极引到芯片本体正面，从而实现了在芯片本体正面通过焊盘与外界进行互联，从而缩短了芯片本体与外界互联距离，也增强了芯片导电、导热效果，具有生产效率高、封装成本低的特点。

主权项

1.一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括隔层(1)、第一铜片(2)、塑料体(3)、凹陷槽(4)、固定孔(5)、固定底板(6)、LOGO标志(7)、第二铜片(8)，其特征在于：所述的塑料体(3)连接固定设于固定底板(6)上端，所述的固定底板(6)上端固定设有多个固定孔(5)，所述的固定孔(5)与固定底板(6)为一体化成型结构，所述的LOGO标志(7)左侧采用粘接方式固定粘贴于塑料体(3)右侧，所述的塑料体(3)前后两端固定设有凹陷槽(4)，所述的凹陷槽(4)与塑料体(3)为一体化成型结构，所述的隔层(1)共设有两个且尺寸一致，所述的隔层(1)水平焊接于塑料体(3)上端，所述的第一铜片(2)与第二铜片(8)尺寸一致，所述的第一铜片(2)共设有两个且采用焊接方式固定设于塑料体(3)上端，所述的塑料体(3)与第一铜片(2)采用过盈配合连接，所述的第二铜片(8)设有两个以上且水平焊接于隔层(1)上端，所述的隔层(1)与第二铜片(8)采用过盈配合连接，所述的第一铜片(2)与第二铜片(8)采用电连接；所述的塑料体(3)由线路表面保护层(301)、焊盘(302)、芯片源电极(303)、芯片栅电极(304)、芯片表面保护层(305)、线路层(306)、金属线(307)、集成电路芯片(308)、金属层(309)、芯片本体(310)、芯片沟槽(311)组成；所述的线路表面保护层(301)固定设于金属层(309)上端，所述的金属层(309)与线路表面保护层(301)为一体化成型结构，所述的焊盘(302)设有两个以上且尺寸一致，所述的焊盘(302)底部水平焊接于线路表面保护层(301)外表面，所述的线路层(306)固定设于金属层(309)与线路表面保护层(301)内，所述的线路层(306)与金属层(309)互联，所述的芯片沟槽(311)固定设于线路层(306)与金属层(309)内，所述的芯片沟槽(311)与线路层(306)侧壁相连，所述的芯片表面保护层(305)固定设于芯片沟槽(311)外壁，所述的芯片源电极(303)与芯片栅电极(304)固定设于芯片本体(310)上方，所述的芯片源电极(303)与芯片栅电极(304)、芯片表面保护层(305)固定填充于芯片沟槽(311)内，所述的芯片源电极(303)与芯片栅电极(304)与芯片本体(310)采用过盈配合连接，所述的芯片本体(310)内固定设有集成电路芯片(308)，所述的的芯片本体(310)与集成电路芯片(308)采用间隙配合，所述的集成电路芯片(308)两端通过金属线(307)与电连接。