[发明专利]一种化合物半导体器件电容结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810071539.4 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108376739B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王勇;郭佳衢;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体器件电容结构及其制作方法，是在化合物半导体基底上依次形成下极板和介电质层后，先形成第二金属层，再形成侧壁保护层覆盖第二金属层并顶部开窗后，再制作第三金属层，第三金属层通过顶部开窗与第二金属层接触以形成上极板。通过第二金属层、第三金属层和侧壁保护层的设置改善电容中电荷集中区域的结构，减少应力作用，提高可靠度以及器件使用寿命。本发明适用于不同类型的电容结构，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体器件 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体器件电容结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供化合物半导体基底，于基底上形成第一金属层构成电容下极板；2)于步骤1)形成的结构表面沉积介电质层，介电质层厚度为50～200nm；3)于第一金属层上方的介电质层表面形成第二金属层，第二金属层的宽度小于第一金属层，厚度为100～1000nm；4)于步骤3)形成的结构表面沉积侧壁保护层，侧壁保护层厚度为100～500nm；5)蚀刻第二金属层顶部的侧壁保护层以形成蚀刻窗口；6)形成第三金属层，第三金属层于所述蚀刻窗口与第二金属层接触，第三金属层和第二金属层构成电容上极板。
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