[发明专利]一种TD-LTE基站PDCCH信道电磁辐射预测方法有效
| 申请号： | 201810070989.1 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108111237B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杨万春;罗昱;高协平;彭艳芬 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H04B17/30 | 分类号： | H04B17/30;H04B17/391 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411100 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TD‑LTE基站PDCCH信道电磁辐射预测方法，包括根据TD‑LTE基站PDCCH信道的传输特性，建立基于CCE聚合级别的批量到达排队模型，由得到PDCCH信道平均占用CCE的数量确定PDCCH信道平均占用OFDM符号数，最后结合TD‑LTE基站发射参数预测TD‑LTE基站PDSCH信道的电磁辐射。本发明建立基于CCE聚合级别的批量到达排队模型来确定PDCCH信道的传输情况，提出了一种准确预测TD‑LTE基站PDCCH信道电磁辐射的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 td lte 基站 pdcch 信道 电磁辐射 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TD-LTE基站PDCCH信道电磁辐射预测方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、根据TD-LTE基站物理下行链路控制信道(PDCCH)的传输特性，建立基于控制信道单元(CCE)聚合级别的批量到达排队模型，由批量到达排队模型得出占用CCE概率的平衡状态方程组，求出占用n个CCE的概率Pn ；2)、通过步骤1)得到的占用n个CCE的概率Pn ，计算PDCCH信道平均占用CCE的数量，确定PDCCH信道平均占用OFDM符号数；3)、通过步骤2)确定的PDCCH信道平均占用OFDM符号数与TD-LTE基站发射天线的发射功率、天线增益结合，计算TD-LTE基站PDCCH信道电磁辐射强度。
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