[发明专利]一种金/二氧化硅核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810063711.1 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108192619A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杨尊先;郭太良;陆干臻;赵志伟;阮玉帅;胡海龙;周雄图;陈耿旭;唐谦;陈兴德 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在ITO玻璃衬底上，以金核作为等离子激元增强中心，以SiO2壳作为隔离层，以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光层，再通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。其中，利用金/SiO2壳核结构纳米颗粒在外界电场作用下等离子体激元增强效应，改变其下面半导体量子点周围电场分布和强度，最终提升半导体量子点薄膜的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体量子点 微结构 制备 核壳 复合量子点 发光薄膜 旋涂 薄膜 等离子体激元 二氧化硅核壳 等离子激元 复合发光层 电场分布 发光性能 封装工艺 复合发光 工艺技术 光致发光 壳核结构 纳米颗粒 外界电场 旋涂成膜 制备工艺 隔离层 有机物 衬底 金核 制作 | ||
【主权项】：
1.一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1：选取一ITO玻璃作为发光器件衬底，所述ITO玻璃包括一玻璃衬底和覆盖玻璃衬底的ITO薄膜；步骤S2：制备CdSe量子点胶体溶液，将制得的半导体量子点作为光致发光中心，旋涂成膜；步骤S3：制备金/SiO2核壳结构的纳米颗粒、纳米棒或其他形貌的微粒，将得到的Au核作为等离子激元增强中心，将Au核外包的SiO2壳层作为绝缘层；步骤S4：利用旋涂工艺在ITO玻璃表面旋涂Au/SiO2核壳结构纳米微粒；步骤S5：通过有机物旋涂与利用PMMA或PI有机物的封装技术固定上述的发光层，形成Au/SiO2核壳量子点‑半导体量子点复合发光膜。
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