[发明专利]一种贵金属/二氧化硅复合粒子与半导体量子点叠层量子点发光薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810063616.1 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108130085A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杨尊先;郭太良;赵志伟;阮玉帅;叶冰清;胡海龙;周雄图;陈耿旭;徐胜;赖寿强 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点叠层量子点发光薄膜。在ITO玻璃衬底上，组装单层金属纳米颗粒核作为等离子激元增强中心，并在金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层；以CuInS/ZnS量子点半导体量子点作为光致发光中心。利用旋涂工艺制备贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点叠层量子点发光薄膜，最后通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出所述量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，成为最有可能提高半导体量子点处光场强度，提升激发光利用效率，从而最终提升半导体量子点发光光学膜整体发光性能的最有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体量子点 量子点 发光薄膜 制备 贵金属 叠层 金属纳米颗粒 复合粒子 制备工艺 旋涂 二氧化硅复合粒子 半导体量子 等离子激元 发光性能 封装工艺 工艺制备 光致发光 隔离层 激发光 膜整体 有机物 衬底 单层 光场 制作 组装 | ||
【主权项】：
一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点叠层量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1：选取一ITO玻璃作为复合发光膜的衬底，所述ITO玻璃包括一玻璃衬底以及所述玻璃衬底表面覆盖的ITO薄膜；步骤S2：制备CuInS/ZnS量子点溶液，将得到的CuInS/ZnS半导体量子点作为电致发光中心;步骤S3：制备贵金属/SiO2复合粒子溶液，将得到的贵金属/SiO2复合粒子作为等离子激元增强中心，将贵金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层；步骤S4：采用旋涂成膜工艺在ITO玻璃表面组装贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点叠层量子点发光薄膜层；步骤S5：通过有机物旋涂与封装工艺制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点叠层量子点发光薄膜。
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