[发明专利]基于CMOS后工艺实现的三维光电集成滤波器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810062157.5 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108321119B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黄北举;张欢;程传同;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8238;H01L27/085;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种三维光电集成滤波器及其制备方法，包括：自下而上依次沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，通孔上方设置有互连电极；其中，第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层滤波器；第二光电器件层用于制备与第一光电器件层进行光互连的上层滤波器。本发明既可以解决单个平面内光电子集成光互连的损耗和串扰，实现多个平面内多维光电子集成，提高光电子集成的密度和光互连系统的复杂度；又可以解决微环滤波器对环境温度的依赖，通过底层温控电路对顶层滤波器的自动热调谐，实现宽工作温度范围的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 实现 三维 光电 集成 滤波器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS后工艺实现的三维光电集成滤波器，包括：自下而上依次沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，所述通孔上方设置有互连电极；其中，所述第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层滤波器；所述第二光电器件层用于制备与所述第一光电器件层进行光互连的上层滤波器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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