[发明专利]一种溶液法制备氧化锆绝缘层薄膜及叠层结构的方法在审
| 申请号： | 201810060622.1 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108389777A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;周尚雄;姚日晖;蔡炜;陶瑞强;陈建秋;朱镇南;魏靖林;袁炜健;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L49/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种溶液法制备氧化锆绝缘层薄膜及叠层结构的方法。将Zr(NO3)4·5H2O溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂所得的前驱体溶液，然后在200℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜。在所得氧化锆绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀圆形Al电极，得到MIM叠层结构。本发明通过Zr(NO3)4·5H2O得到含硝酸基ZrO2绝缘层的前驱体溶液，可以在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，对衬底的耐温要求较低，同时避免传统低温工艺中所需的紫外光处理，降低退火工艺的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层薄膜 氧化锆 前驱体溶液 叠层结构 溶液法制备 衬底 绝缘层 退火 乙二醇单甲醚 薄膜晶体管 紫外光处理 传统低温 磁控溅射 退火处理 退火工艺 有机杂质 复杂度 硝酸基 除湿 耐温 上旋 老化 | ||
【主权项】：
1.一种溶液法制备ZrO2绝缘层薄膜的方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)将Zr(NO3)4·5H2O溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；(2)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得的前驱体溶液，然后在200℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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