[发明专利]气相沉积装置及氧化亚硅的制备方法

摘要

本发明公开了一种气相沉积装置及氧化亚硅的制备方法，气相沉积装置，包括炉体、设置于炉体内的加热腔室、设置于炉体外的沉积腔室，气相沉积装置还包括：进料机构、刮取机构、设置于炉体外的收集腔室，收集腔室包括第一阀门，第一阀门用于控制沉积腔室与收集腔室之间通道的开闭。本发明中的气相沉积装置，通过关闭收集腔室入口处的第一阀门，可在线将收集腔室收集到的沉积产物排出，使得气相沉积装置内的气相沉积反应可以连续在线进行，且出料时不影响气相沉积反应。本发明与现有技术相比，能实现连续生产，从而降低了能耗，提高了产能，提高了生产效率。且沉积比较充分，物料损失少，收集的产品具有较高的质量稳定性，能够满足市场大规模的需求。

主权项

1.一种气相沉积装置，包括炉体、设置于炉体内的加热腔室、设置于炉体外的沉积腔室，加热腔室用于加热原料反应生成气相产物，沉积腔室与加热腔室连通，沉积腔室用于沉积产物，其特征在于，气相沉积装置还包括：进料机构，进料机构的出料口与加热腔室的入口连接，进料机构用于向加热腔室内加入原料；刮取机构，设置于沉积腔室内，刮取机构用于刮取沉积腔室内的沉积产物；收集腔室，设置于炉体外，收集腔室的入口与沉积腔室的出口连接，收集腔室用于收集刮取机构刮取下来的沉积产物，收集腔室包括设置于收集腔室入口处的第一阀门，第一阀门用于控制沉积腔室与收集腔室之间通道的开闭。