[发明专利]一种具有三台阶抗反射结构的红外光学窗口及其制备方法在审
申请号: | 201810056948.7 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108254811A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 何少伟;陈志祥;陈定辉;范文聪 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B1/118 | 分类号: | G02B1/118 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 徐金琼;刘东 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有三台阶抗反射结构的红外光学窗口,包括红外光学窗口,所述红外光学窗口的入射面刻蚀有三台阶的抗反射结构,其制备方法为:硅片预处理,使用掩膜版在硅片上刻蚀抗三台阶反射结构,包括刻蚀第一台阶结构层、刻蚀第二台阶结构层、刻蚀第三台阶结构层,上述刻蚀抗反射结构的方法采用感应耦合等离子体刻蚀机,使用刻蚀与钝化相结合的工艺进行刻蚀,刻蚀气体为SF6,钝化气体为C4F8,在刻蚀与钝化的过程中加入惰性气体He。本发明的这种结构可明显增加红外窗口的透过率,提高红外器件的灵敏度,降低了台阶结构的高度,结构参数,台阶周期及深度的变化对透过率影响,制备方法提高了器件制作的工艺容差,降低了工艺制作难度。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 红外光学窗口 抗反射结构 台阶结构 制备 透过率 硅片 钝化 感应耦合等离子体刻蚀机 预处理 钝化气体 惰性气体 反射结构 工艺制作 红外窗口 红外器件 结构参数 刻蚀气体 器件制作 灵敏度 入射面 掩膜版 容差 | ||
【主权项】:
1.一种具有三台阶抗反射结构的红外光学窗口,包括红外光学窗口,其特征在于:所述红外光学窗口的入射面刻蚀有三台阶的抗反射结构。
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