[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的外延结构在审
| 申请号： | 201810054451.1 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108365063A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙一军;程志渊;周强;孙颖;孙家宝;刘艳华;王妹芳;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本发明在蓝宝石衬底与低温GaN缓冲层之间具有Al2O3缓冲层，通过Al2O3缓冲层和低温GaN缓冲层的双层缓冲作用，提高GaN材料的晶体质量，从而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温GaN缓冲层 发光效率 外延结构 缓冲层 蓝宝石 衬底 高温GaN层 层叠结构 双层缓冲 依次层叠 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaN基LED发光效率的外延结构，其特征在于，所述提高GaN基LED发光效率的外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。
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